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图/表 详细信息
全无机钙钛矿太阳电池: 现状与未来
马晓辉, 杨立群, 郑士建, 戴其林, 陈聪, 宋宏伟
化学进展, 2020, 32(
10
): 1608-1632. DOI:
10.7536/PC200313
图11
(a)CsPbBrCl
2
量子点薄膜沉积原理示意图
[
132
]
;(b)利用钙钛矿薄膜改善硅基太阳能电池性能的示意图
[
133
]
;(c)不同Nb掺杂浓度下器件的
J-V
曲线
[
148
]
;(d)暴露在光下的CsPbI
3
薄膜中碘和铅原子比值的变化
[
161
]
;(e)MAPbBr
3
和CsPbBr
3
薄膜的光化学降解比较
[
161
]
本文的其它图/表
图1
CsPbX
3
太阳能电池的发展
图2
(a)无机钙钛矿的晶体结构
[
38
]
;(b)I-PSCs的能级示意图
[
39
]
;(c)I-PSCs的器件结构
[
40
]
;(d)一步溶液法
[
39
]
;(e)两步溶液法
[
39
]
;(f)真空热蒸发法
[
39
]
;(g)蒸气/喷雾辅助溶液法
[
41
]
图3
(a)CsPbI
3
的晶体结构
[
43
]
;(b)两性离子稳定α-CsPbI
3
的原理示意图
[
46
]
;(c)CsPbI
3
·
x
DETAI
3
基器件的结构示意图
[
47
]
;(d)CsPbI
3
·
x
DETAI
3
基器件的
J-V
曲线
[
47
]
;(e)CsPbI
3
·0.05DETAI
3
基器件在黑暗的干燥箱中的稳定性测试曲线
[
47
]
图4
(a)HI或Bi
3+
稳定α-CsPbI
3
的原理示意图
[
49
]
;(b)CsPbI
3
薄膜表面钝化原理示意图
[
50
]
;(c)PTABr-CsPbI
3
基器件的横截面SEM图
[
50
]
;(d)CsPbI
3
裂纹填充界面工程原理图
[
53
]
;CHI-CsPbI
3
基器件的(e)正、反扫描
J-V
曲线和(f)稳定性测试曲线
[
53
]
图5
(a)CsPbI
3
量子点薄膜的沉积过程和AX盐的后处理示意图
[
55
]
;(b)基于μGR/CsPbI
3
器件的电荷传输过程和稳定机制的示意图
[
57
]
;(c)随着Yb
3+
掺杂浓度增加的CsPbI
3
量子点溶液在紫外光下的照片
[
59
]
;20%Yb-CsPbI
3
量子点基器件的(d)
J-V
曲线和(e)稳定性测试曲线
[
59
]
图6
(a)不同全无机器件的
J-V
曲线
[
62
]
;(b)不同浓度的碘化胍处理后的CsPbIBr
2
薄膜表面SEM图
[
67
]
;CsPbIBr
2
基器件的(c)
J-V
曲线和(d)稳定性测试曲线
[
67
]
;(e)利用LiF修饰SnO
2
表面的器件结构示图
[
75
]
;(f)CsPbI
3-
x
Br
x
PSCs的能带排列
[
75
]
表1
CsPbX
3
(X=I,Br或I和Br)基器件的结构和性能
图7
(a)CsSnI
3
的晶体结构(红球代表“ I”,黄球代表“ Sn”,蓝球代表“ Cs”)
[
87
]
;(b)CsSnI
3
基器件的横截面SEM图
[
91
]
;(c)添加不同含量SnF
2
的CsSnI
3
基器件的
J-V
曲线
[
91
]
;(d)CsSnI
3
基器件的结构示意图
[
92
]
;(e)在不同温度下退火后的CsSnI
3
基器件的
J-V
曲线
[
92
]
;(f)性能最佳的CsSnI
3
基器件的
J-V
曲线
[
92
]
图8
(a)基于不同条件下的CsSnBr
3
的能带位置
[
99
]
; (b)CsSnI
3-
x
Br
x
(
x
=0,1,2,3)的Tauc图
[
101
]
; (c)CsSnI
3-
x
Br
x
的带隙与
x
值的关系曲线
[
101
]
;(d)PSC中材料和电荷传输的能级图
[
103
]
;(e)CsGeI
3
的晶体结构(左边是
R
3
m
结构,右边是
Pmmm
结构)
[
108
]
;(f)CsGeI
3
纳米晶体在不同曝光时间下的TEM图
[
110
]
表2
CsSnX
3
(X=I,Br或I和Br)基器件的结构和性能
图9
(a)Cs
2
SnI
6
粉末在空气中放置不同时间后的XRD图
[
117
]
;(b)Cs
2
SnI
6-
x
Br
x
基器件的
J-V
曲线,插图显示Cs
2
SnI
6
(黑色)和Cs
2
SnBr
2
I
4
(绿色)的IPCE值
[
112
]
;(c)在不同溶剂中以不同比例的前驱体合成的Cs
2
SnI
6
粉末的SEM图,CsI∶SnI
2
为1∶1(上面两幅图),CsI∶SnI
4
为3∶2(下面两幅图)
[
118
]
;(d)Cs
2
AgBiBr
6
薄膜的紫外可见光谱和PL光谱
[
122
]
;(e)基于溶液法和真空沉积法制备的Cs
2
AgBiBr
6
基器件的
J-V
曲线
[
16
]
;(f)(Cs
1-
x
Rb
x
)
2
AgBi
6
薄膜表面的SEM图
[
125
]
表3
Cs
2
AgBiBr
6
基器件的结构和性能
图10
(a)CsPbBr
3
纳米晶体修饰器件结构的原理图
[
129
]
;(b)CsPbBr
3
@SiO
2
基器件的
J-V
曲线
[
129
]
;(c)器件结构示意图
[
130
]
;有和无Al
2
O
3
封装层器件的(d)
J-V
曲线和(e)稳定性测试曲线
[
130
]
图12
(a)刮涂法提高钙钛矿薄膜性能的原理示意图和大面积的CsPbI
2
Br薄膜实物图
[
164
]
;(b)基于不同有效面积的CsPbI
2
Br器件的
J-V
曲线
[
165
]
;(c)在弯曲半径为10 mm的情况下,随弯曲次数的增加柔性器件
J-V
特性的变化曲线
[
167
]
;(d)基于GAI-DEE-CsPbIBr
2
柔性器件的
J-V
曲线
[
67
]
;(e)基于不同有效面积的GAI-DEE-CsPbIBr
2
器件性能的变化曲线
[
67
]
AI
小
编
AI小编
你好！我是《化学进展》AI小编，有什么可以帮您的吗？
