图9 (a)Cs2SnI6粉末在空气中放置不同时间后的XRD图[117];(b)Cs2SnI6-xBrx基器件的J-V曲线,插图显示Cs2SnI6(黑色)和Cs2SnBr2I4(绿色)的IPCE值[112];(c)在不同溶剂中以不同比例的前驱体合成的Cs2SnI6 粉末的SEM图,CsI∶SnI2为1∶1(上面两幅图),CsI∶SnI4为3∶2(下面两幅图)[118];(d)Cs2AgBiBr6薄膜的紫外可见光谱和PL光谱[122];(e)基于溶液法和真空沉积法制备的Cs2AgBiBr6基器件的J-V曲线[16];(f)(Cs1-xRbx)2AgBi6薄膜表面的SEM图[125]
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